光刻膠與紫外線的關(guān)系

紫外光深入?yún)⑴c了半導(dǎo)體制造過(guò)程中光刻膠的曝光步驟。曝光工藝是將光刻膠曝光并將設(shè)計(jì)的圖案轉(zhuǎn)移到基板上的重要步驟。紫外線改變光刻膠的分子結(jié)構(gòu)并改變曝光區(qū)域的溶解度，形成電路圖案。用于曝光的紫外線有多種波長(zhǎng)，但常用的是以下類(lèi)型：

i 線 (365 nm)：當(dāng)不需要非常精細(xì)的圖案時(shí)使用。

KrF 線 (248 nm)：適合需要高分辨率的情況。

ArF 線 (193 nm)：需要更高分辨率時(shí)使用。

極紫外光（13.5 納米）：采用jian端微加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)ji高的分辨率

紫外線的波長(zhǎng)越短，可以形成的圖案分辨率越高。